Nhà Sản phẩmTransitor điện Mosfet

AP10H03S 10A 30V Cấu trúc dọc của bóng bán dẫn Mosfet Power-8 Mosfet

Chứng nhận
Trung Quốc Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Chứng chỉ
Trung Quốc Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Chứng chỉ
Khách hàng đánh giá
Chúng tôi hợp tác với Hua Xuan Yang phần lớn là do tính chuyên nghiệp của họ, phản ứng nhạy bén của họ đối với việc tùy chỉnh các sản phẩm chúng tôi cần, giải quyết tất cả các nhu cầu của chúng tôi và trên hết là Họ cung cấp dịch vụ chất lượng.

—— Giáo sư Jason Jason đến từ Canada

Theo lời giới thiệu của bạn tôi, chúng tôi biết về Hua Xuan Yang, một chuyên gia cao cấp trong ngành công nghiệp bán dẫn và linh kiện điện tử, cho phép chúng tôi giảm thời gian quý báu và không phải mạo hiểm thử các nhà máy khác.

—— Phần còn lại của Nga

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

AP10H03S 10A 30V Cấu trúc dọc của bóng bán dẫn Mosfet Power-8 Mosfet

AP10H03S 10A 30V Cấu trúc dọc của bóng bán dẫn Mosfet Power-8 Mosfet
AP10H03S 10A 30V Cấu trúc dọc của bóng bán dẫn Mosfet Power-8 Mosfet AP10H03S 10A 30V Cấu trúc dọc của bóng bán dẫn Mosfet Power-8 Mosfet AP10H03S 10A 30V Cấu trúc dọc của bóng bán dẫn Mosfet Power-8 Mosfet

Hình ảnh lớn :  AP10H03S 10A 30V Cấu trúc dọc của bóng bán dẫn Mosfet Power-8 Mosfet

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: Thâm Quyến Trung Quốc
Hàng hiệu: Hua Xuan Yang
Chứng nhận: RoHS、SGS
Số mô hình: AP10H03S
Thanh toán:
Số lượng đặt hàng tối thiểu: Đàm phán
Giá bán: Negotiated
chi tiết đóng gói: Đóng hộp
Thời gian giao hàng: 12 tuần
Điều khoản thanh toán: L / CT / T Western Union
Khả năng cung cấp: 18.000.000 CÁI / ngày

AP10H03S 10A 30V Cấu trúc dọc của bóng bán dẫn Mosfet Power-8 Mosfet

Sự miêu tả
Tên sản phẩm: Transitor điện Mosfet Mô hình: AP10H03S
Gói: Sê-ri 8 Đánh dấu: AP10H03S XXX YYYY
VDSDrain-Nguồn điện áp: 30V Điện áp rr VGSGate-Sou: ± 20A
Điểm nổi bật:

bóng bán dẫn kênh mosfet

,

bóng bán dẫn cao áp

AP10H03S 10A 30V Cấu trúc dọc của bóng bán dẫn Mosfet Power-8 Mosfet

Mô tả Transitor điện Mosfet:

AP10H03S là rãnh hiệu suất cao nhất
N-ch MOSFET với mật độ tế bào cực cao,
cung cấp RDSON và phí cổng tuyệt vời
cho hầu hết các chuyển đổi năng lượng nhỏ và
tải ứng dụng chuyển đổi. Đáp ứng RoHS và
Yêu cầu sản phẩm với độ tin cậy đầy đủ chức năng được phê duyệt.

Các tính năng của Transitor điện Mosfet

VDS = 30V ID = 10A
RDS (BẬT) <12mΩ @ VGS = 4,5V
RDS (BẬT) <16,5mΩ @ VGS = 2,5V

Ứng dụng bóng bán dẫn Mosfet

Bảo vệ pin
Công tắc tải
Cung cấp điện liên tục

Thông tin đánh dấu đặt hàng

ID sản phẩm Đóng gói Đánh dấu Qty PCS)
AP10H03S Sê-ri 8 AP10H03S XXX YYYY 3000

Xếp hạng tối đa tuyệt đối (TA = 25 trừ khi ghi chú khác )

Biểu tượng Tham số Xếp hạng Các đơn vị
VDS điện áp cực tiêu tán 30 V
VGS Cổng điện áp nguồn ± 20 V
ID @ TC = 25 ℃ Dòng xả liên tục, V GS @ 10V 1 10 Một
ID @ TC = 100 ℃ Dòng xả liên tục, V GS @ 10V 1 8.2 Một
ID @ TA = 25 ℃ Dòng xả liên tục, VGS @ 10V1 9,5 Một
ID @ TA = 70 ℃ Dòng xả liên tục, V GS @ 10V 1 7.6 Một
IDM Dòng xả xung2 75 Một
DỄ DÀNG Năng lượng xung đơn 3 24.2 mJ
IAS Hiện tại 22 Một
PD @ TC = 25oC Tổng công suất tiêu tán4 26 W
PD @ TA = 25oC Tổng công suất tiêu tán4 1,67 W
TSTG Phạm vi nhiệt độ lưu trữ -55 đến 150
TJ Phạm vi nhiệt độ giao diện điều hành -55 đến 150
RθJA Khớp nối nhiệt-Ambient 1 75 ℃ / W
RθJC Trường hợp nối nhiệt điện trở 1 4,8 ℃ / W

Đặc tính điện (T J = 25, trừ khi ghi chú khác )

Biểu tượng Tham số Điều kiện Tối thiểu Gõ. Tối đa Đơn vị
BVDSS Điện áp sự cố nguồn thoát VGS = 0V, ID = 250uA 30 --- --- V
BVDSS / TJ Hệ số nhiệt độ BVDSS Tham chiếu đến 25 ℃, ID = 1mA --- 0,023 --- V / ℃
RDS (BẬT) Nguồn thoát tĩnh VGS = 10V, ID = 15A --- --- 12

VGS = 4,5V, ID = 10A --- --- 16,5
VGS (th) Ngưỡng cửa điện áp

VGS = VDS, ID = 250uA

1 --- 2,5 V
VGS (th) Hệ số nhiệt độ VGS (th) --- -5,08 --- mV / ℃

IDSS

Rò rỉ nguồn thoát

VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃ --- --- 1

uA

VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 55 ℃ --- --- 5
IGSS Cổng rò rỉ hiện tại VGS = ± 20V, V DS = 0V --- --- ± 100 nA
gfs Chuyển tiếp VDS = 5V, ID = 15A --- 24.4 --- S
R G Cổng kháng chiến VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1 MHz --- 1.8 --- Ω
Qg Tổng phí cổng (4,5V) VDS = 15V, VGS = 4,5V, ID = 12A --- 9,82 ---
Qss Phí cổng nguồn --- 2,24 ---
Qgd Phí xả cổng --- 5,54 ---
Td (trên) Thời gian trễ bật VDD = 15V, VGS = 10V, RG = 1,5
ID = 20A
--- 6,4 ---
Tr Thời gian tăng --- 39 ---
Td (tắt) Thời gian trễ tắt --- 21 ---
Tf Giảm thời gian --- 4,7 ---
Ciss Điện dung đầu vào VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1 MHz --- 896 ---
Coss Điện dung đầu ra --- 126 ---
Crss Điện dung chuyển ngược --- 108 ---
Nguồn liên tục hiện tại 1,5

VG = VD = 0V, Lực lượng hiện tại

--- --- 37 Một
ISM Nguồn xung 2,5,5 --- --- 75 Một
VSD Diode chuyển tiếp điện áp2 VGS = 0V, IS = 1A, TJ = 25 ℃ --- --- 1 V
Biểu tượng Tham số Điều kiện Tối thiểu Gõ. Tối đa Đơn vị
BVDSS Điện áp sự cố nguồn thoát VGS = 0V, ID = 250uA 30 --- --- V
BVDSS / TJ Hệ số nhiệt độ BVDSS Tham chiếu đến 25 ℃, ID = 1mA --- 0,023 --- V / ℃
RDS (BẬT) Nguồn thoát tĩnh VGS = 10V, ID = 15A --- --- 12

VGS = 4,5V, ID = 10A --- --- 16,5
VGS (th) Ngưỡng cửa điện áp

VGS = VDS, ID = 250uA

1 --- 2,5 V
VGS (th) Hệ số nhiệt độ VGS (th) --- -5,08 --- mV / ℃

IDSS

Rò rỉ nguồn thoát

VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃ --- --- 1

uA

VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 55 ℃ --- --- 5
IGSS Cổng rò rỉ hiện tại VGS = ± 20V, V DS = 0V --- --- ± 100 nA
gfs Chuyển tiếp VDS = 5V, ID = 15A --- 24.4 --- S
R G Cổng kháng chiến VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1 MHz --- 1.8 --- Ω
Qg Tổng phí cổng (4,5V) --- 9,82 ---
Qss Phí cổng nguồn --- 2,24 ---
Qgd Phí xả cổng --- 5,54 ---
Td (trên) Thời gian trễ bật --- 6,4 ---
Tr Thời gian tăng --- 39 ---
Td (tắt) Thời gian trễ tắt --- 21 ---
Tf Giảm thời gian --- 4,7 ---
Ciss Điện dung đầu vào --- 896 ---
Coss Điện dung đầu ra --- 126 ---
Crss Điện dung chuyển ngược --- 108 ---
Nguồn liên tục hiện tại 1,5

VG = VD = 0V, Lực lượng hiện tại

--- --- 37 Một
ISM Nguồn xung 2,5,5 --- --- 75 Một
VSD Diode chuyển tiếp điện áp2 VGS = 0V, IS = 1A, TJ = 25 ℃ --- --- 1 V

Ghi chú :

1. Dữ liệu được kiểm tra bằng bề mặt được gắn trên bảng FR-4 1 inch bằng đồng 2OZ.

2. Dữ liệu được kiểm tra bằng xung, độ rộng xung ≦ 300us, chu kỳ nhiệm vụ ≦ 2%

3. Dữ liệu EAS hiển thị Max. Xếp hạng . Điều kiện thử nghiệm là VDĐ = 25V, VGS = 10V, L = 0,1mH, IAS = 22A

4. Sự tiêu hao năng lượng bị giới hạn bởi nhiệt độ tiếp giáp 175oC

5. Về mặt lý thuyết, dữ liệu giống như ID và IDM, trong các ứng dụng thực tế, nên được giới hạn bởi tổng công suất tiêu tán.

Chú ý

1, Bất kỳ và tất cả các sản phẩm Vi điện tử APM được mô tả hoặc chứa trong tài liệu này đều không có thông số kỹ thuật có thể xử lý các ứng dụng yêu cầu mức độ tin cậy cực cao, chẳng hạn như hệ thống hỗ trợ sự sống, hệ thống điều khiển máy bay hoặc các ứng dụng khác có thể gây ra sự cố thiệt hại nghiêm trọng về thể chất và / hoặc vật chất. Tham khảo ý kiến ​​với đại diện APM Vi điện tử gần bạn nhất trước khi sử dụng bất kỳ sản phẩm Vi điện tử APM nào được mô tả hoặc có trong tài liệu này trong các ứng dụng đó.

2, APM Vi điện tử không chịu trách nhiệm đối với các lỗi thiết bị do sử dụng các sản phẩm ở các giá trị vượt quá, thậm chí là các giá trị được xếp hạng (như xếp hạng tối đa, phạm vi điều kiện hoạt động hoặc các thông số khác) được liệt kê trong thông số kỹ thuật của sản phẩm của bất kỳ và tất cả các sản phẩm Vi điện tử APM được mô tả hoặc chứa trong tài liệu này.

3, Thông số kỹ thuật của bất kỳ và tất cả các sản phẩm Vi điện tử APM được mô tả hoặc chứa ở đây đều kích thích hiệu suất, đặc tính và chức năng của các sản phẩm được mô tả ở trạng thái độc lập và không đảm bảo về hiệu suất, đặc tính và chức năng của các sản phẩm được mô tả như được gắn trong các sản phẩm hoặc thiết bị của khách hàng. Để xác minh các triệu chứng và trạng thái không thể đánh giá trong một thiết bị độc lập, khách hàng phải luôn đánh giá và kiểm tra các thiết bị được gắn trong các sản phẩm hoặc thiết bị của khách hàng.

4, Công ty TNHH Bán dẫn Vi điện tử APM. phấn đấu để cung cấp chất lượng cao sản phẩm độ tin cậy cao. Tuy nhiên, bất kỳ và tất cả các sản phẩm bán dẫn đều thất bại với một số xác suất. Có thể những thất bại xác suất này có thể gây ra tai nạn hoặc sự kiện có thể gây nguy hiểm cho cuộc sống của con người có thể gây ra khói hoặc lửa, hoặc có thể gây thiệt hại cho tài sản khác. Thiết bị thiết kế, áp dụng các biện pháp an toàn để những loại tai nạn hoặc sự kiện này không thể xảy ra. Các biện pháp này bao gồm nhưng không giới hạn ở các mạch bảo vệ và mạch phòng ngừa lỗi cho thiết kế an toàn, thiết kế dự phòng và thiết kế kết cấu.

5, Trong trường hợp bất kỳ hoặc tất cả các sản phẩm Vi điện tử APM (bao gồm dữ liệu kỹ thuật, dịch vụ) được mô tả hoặc chứa trong tài liệu này đều được kiểm soát theo bất kỳ luật và quy định kiểm soát xuất khẩu địa phương nào, các sản phẩm đó không được xuất khẩu mà không có giấy phép xuất khẩu từ cơ quan chức năng quan tâm theo quy định của pháp luật trên.

6, Không được sao chép hoặc truyền đi bất kỳ phần nào của ấn phẩm này dưới bất kỳ hình thức nào hoặc bằng phương tiện điện tử hoặc cơ học, kể cả photocopy và ghi âm, hoặc bất kỳ hệ thống lưu trữ hoặc truy xuất thông tin nào, hoặc nếu không, không có sự cho phép trước bằng văn bản của APM Microelectronics S bán dẫn CO ., LTD.

7, Thông tin (bao gồm sơ đồ mạch và thông số mạch) ở đây chỉ là ví dụ; nó không được đảm bảo cho sản xuất khối lượng. APM Vi điện tử tin rằng thông tin trong tài liệu này là chính xác và đáng tin cậy, nhưng không có đảm bảo nào được thực hiện hoặc ngụ ý liên quan đến việc sử dụng hoặc bất kỳ hành vi xâm phạm quyền sở hữu trí tuệ hoặc quyền khác của bên thứ ba.

8, Bất kỳ và tất cả thông tin được mô tả hoặc chứa trong tài liệu này có thể thay đổi mà không cần thông báo do cải tiến sản phẩm / công nghệ, v.v. Khi thiết kế thiết bị, hãy tham khảo "Thông số kỹ thuật giao hàng" cho sản phẩm Vi điện tử APM mà bạn dự định sử dụng.

Chi tiết liên lạc
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Người liên hệ: David

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)

Để lại lời nhắn

Chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn sớm!