|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Tên sản phẩm: | Transitor điện Mosfet | VDS: | 30V |
|---|---|---|---|
| RDS (BẬT) <35mΩ: | (VGS = 4,5V) | Số mô hình: | HXY4466 |
| RDS (BẬT) <23mΩ: | (VGS = 10V) | Kiểu: | bóng bán dẫn mosfet |
| Điểm nổi bật: | logic mosfet chuyển đổi,trình điều khiển mosfet sử dụng bóng bán dẫn |
||
Tóm tắt sản phẩm
| VDS | 30V |
| Tôi = 10A | VGS = 10V) |
| RDS (BẬT) <23mΩ | (VGS = 10V) |
| RDS (BẬT) <35mΩ | (VGS = 4,5V) |
Mô tả chung
HXY4466 sử dụng công nghệ đào tiên tiến để
cung cấp RDS (ON) tuyệt vời và phí cổng thấp. Điều này
thiết bị phù hợp để sử dụng như một công tắc tải hoặc trong PWM
các ứng dụng. Các khách hàng tiềm năng được phân tách để cho phép
một kết nối Kelvin với nguồn, có thể là
được sử dụng để bỏ qua các cuộn cảm nguồn.
Đặc tính điện (T = 25 ° C trừ khi có ghi chú khác )
A. Giá trị của R JA được đo bằng thiết bị được gắn trên bo mạch 1in 2 FR-4 với 2oz. Đồng, trong môi trường không khí tĩnh có T A = 25 ° C. Các
giá trị trong bất kỳ ứng dụng nào tùy thuộc vào thiết kế bảng cụ thể của người dùng.
B. Công suất tiêu tán P D dựa trên T J (MAX) = 150 ° C, sử dụng điện trở nhiệt tiếp giáp 10s.
C. Xếp hạng lặp lại, độ rộng xung bị giới hạn bởi nhiệt độ tiếp giáp T J (MAX) = 150 ° C. Xếp hạng dựa trên tần suất thấp và chu kỳ nhiệm vụ để giữ
ban đầu = 25 ° C.
D. R θ JA là tổng của trở kháng nhiệt từ điểm nối để dẫn R θ JL và dẫn đến môi trường xung quanh.
E. Các đặc tính tĩnh trong Hình 1 đến 6 có được bằng cách sử dụng <300 xung, chu kỳ nhiệm vụ tối đa 0,5%.
F. Các đường cong này dựa trên trở kháng nhiệt tiếp giáp với môi trường xung quanh được đo bằng thiết bị được gắn trên bo mạch 1in 2 FR-4 với
2oz. Đồng, giả sử nhiệt độ tiếp giáp tối đa là T J (MAX) = 150 ° C. Đường cong SOA cung cấp một đánh giá xung đơn.
G. Chu kỳ nhiệm vụ tăng đột biến tối đa 5%, giới hạn bởi nhiệt độ tiếp giáp TJ (MAX) = 125 ° C.
ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỬ VÀ NHIỆT ĐỘ
Người liên hệ: David
