Nhà Sản phẩmTransitor hiệu ứng trường Mos

AlphaSGT HXY4266 Mos Hiệu ứng trường Transitor Ổ đĩa cổng logic 60v

Chứng nhận
Trung Quốc Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Chứng chỉ
Trung Quốc Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Chứng chỉ
Khách hàng đánh giá
Chúng tôi hợp tác với Hua Xuan Yang phần lớn là do tính chuyên nghiệp của họ, phản ứng nhạy bén của họ đối với việc tùy chỉnh các sản phẩm chúng tôi cần, giải quyết tất cả các nhu cầu của chúng tôi và trên hết là Họ cung cấp dịch vụ chất lượng.

—— Giáo sư Jason Jason đến từ Canada

Theo lời giới thiệu của bạn tôi, chúng tôi biết về Hua Xuan Yang, một chuyên gia cao cấp trong ngành công nghiệp bán dẫn và linh kiện điện tử, cho phép chúng tôi giảm thời gian quý báu và không phải mạo hiểm thử các nhà máy khác.

—— Phần còn lại của Nga

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

AlphaSGT HXY4266 Mos Hiệu ứng trường Transitor Ổ đĩa cổng logic 60v

AlphaSGT HXY4266 Mos Hiệu ứng trường Transitor Ổ đĩa cổng logic 60v
AlphaSGT HXY4266 Mos Hiệu ứng trường Transitor Ổ đĩa cổng logic 60v

Hình ảnh lớn :  AlphaSGT HXY4266 Mos Hiệu ứng trường Transitor Ổ đĩa cổng logic 60v

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: Thâm Quyến Trung Quốc
Hàng hiệu: Hua Xuan Yang
Chứng nhận: RoHS、SGS
Số mô hình: HXY4266
Thanh toán:
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1000-2000 CÁI
Giá bán: Negotiated
chi tiết đóng gói: Đóng hộp
Thời gian giao hàng: 12 tuần
Điều khoản thanh toán: L / CT / T Western Union
Khả năng cung cấp: 18.000.000 CÁI / ngày

AlphaSGT HXY4266 Mos Hiệu ứng trường Transitor Ổ đĩa cổng logic 60v

Sự miêu tả
Tên sản phẩm: Transitor điện Mosfet ứng dụng: Chuyển mạch tần số cao
Vật chất: Silic Số mô hình: HXY4266
VDS: 60V ID (tại VGS = 10V): 11A
Điểm nổi bật:

bóng bán dẫn hiện tại cao

,

trình điều khiển mosfet sử dụng bóng bán dẫn

Kênh Alpha NGT 60V NX H42Y4266

Tóm tắt sản phẩm

VDS 60V
ID (tại VGS = 10V) 11A
RDS (BẬT) (tại VGS = 10V) <13,5mΩ
RDS (BẬT) (tại VGS = 4,5V) <18mΩ

Mô tả chung

• RDS thấp (BẬT)
• Ổ đĩa mức logic
• Sản phẩm sạc cổng tuyệt vời x RDS (ON) (FOM)
• Tuân thủ RoHS và không có halogen

Các ứng dụng

• Chuyển mạch tần số cao và chỉnh lưu đồng bộ

Đặc tính điện (T = 25 ° C trừ khi ghi chú khác )

A. Giá trị của R JA được đo bằng thiết bị được gắn trên bo mạch 1in 2 FR-4 với 2oz. Đồng, trong môi trường không khí tĩnh có T A = 25 ° C. Các

giá trị trong bất kỳ ứng dụng nào tùy thuộc vào thiết kế bảng cụ thể của người dùng.

B. Công suất tiêu tán P D dựa trên T J (MAX) = 150 ° C, sử dụng điện trở nhiệt tiếp giáp 10s.

C. Xếp hạng lặp lại, độ rộng xung bị giới hạn bởi nhiệt độ tiếp giáp T J (MAX) = 150 ° C. Xếp hạng dựa trên tần suất thấp và chu kỳ nhiệm vụ để giữ

ban đầu = 25 ° C.

D. R θ JA là tổng của trở kháng nhiệt từ điểm nối để dẫn R θ JL và dẫn đến môi trường xung quanh.

E. Các đặc tính tĩnh trong Hình 1 đến 6 có được bằng cách sử dụng <300 xung, chu kỳ nhiệm vụ tối đa 0,5%.

F. Các đường cong này dựa trên trở kháng nhiệt tiếp giáp với môi trường xung quanh được đo bằng thiết bị được gắn trên bo mạch 1in 2 FR-4 với

2oz. Đồng, giả sử nhiệt độ tiếp giáp tối đa là T J (MAX) = 150 ° C. Đường cong SOA cung cấp một đánh giá xung đơn.

G. Chu kỳ nhiệm vụ tăng đột biến tối đa 5%, giới hạn bởi nhiệt độ tiếp giáp TJ (MAX) = 125 ° C.

ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TỬ NHIỆT ĐỘ

Chi tiết liên lạc
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Người liên hệ: David

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)

Để lại lời nhắn

Chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn sớm!