|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| VCBO: | -400V | VCEO: | -400V |
|---|---|---|---|
| VEBO: | -5V | Tên sản phẩm: | silicon bán dẫn loại triode |
| Tj: | 150Š | Transitor điện Mosfet: | TO-92 Nhựa-Đóng gói |
| Điểm nổi bật: | bóng bán dẫn pnp,bóng bán dẫn loạt |
||
TO-92 Transitor bọc nhựa A94 TRANSISTOR (PNP)
Điện áp cao
Đánh dấu
A94 = Mã thiết bị
Dấu chấm rắn = Thiết bị ghép màu xanh lá cây, nếu không, thiết bị bình thường
Z = Xếp hạng của hFE
XXX = Mã
THÔNG TIN ĐẶT HÀNG
| Một phần số | Gói | Cách đóng gói | Số lượng gói |
| A94 | TO-92 | Số lượng lớn | 1000 cái / túi |
| A94-TA | TO-92 | Băng | 2000 cái / hộp |
SỐ LƯỢNG TỐI ĐA (T a = 25 Š trừ khi có ghi chú khác)
| Ký hiệu | Tham số | Giá trị | Đơn vị |
| V CBO | Coll ector-Base điện áp | -400 | V |
| Giám đốc điều hành V | Coll ector-Emitter điện áp | -400 | V |
| V EBO | Emitter-Base điện áp | -5 | V |
| Tôi C | Coll ector hiện tại-Liên tục | -0,2 | Một |
| Tôi CM | Coll ector hiện tại -Pulsed | -0.3 | Một |
| P C | Coll ector Power Dissestion | 625 | mW |
| R θ JA | Ance nhiệt từ ngã ba đến môi trường xung quanh | 200 | ℃ / W |
| T J | Nhiệt độ ngã ba | 150 | ℃ |
| T stg | Nhiệt độ lưu trữ | -55 ~ + 150 | ℃ |
T a = 25 Š trừ khi có quy định khác
| Tham số | Ký hiệu | Điều kiện kiểm tra | Tối thiểu | Kiểu | Tối đa | Đơn vị |
| Điện áp đánh thủng cơ sở | V (BR) CBO | I C = -100 HOÀNG, I E = 0 | -400 | V | ||
| Điện áp sự cố collector-emitter | Giám đốc điều hành V (BR) | Tôi C = -1mA, tôi B = 0 | -400 | V | ||
| Điện áp sự cố Emitter-cơ sở | V (BR) EBO | I E = -100 HOÀNG, I C = 0 | -5 | V | ||
| Bộ sưu tập hiện tại | ICBO | V CB = -400V, I E = 0 | -0,1 | μA | ||
| Bộ sưu tập hiện tại | ICEO | V CE = -400V, I B = 0 | -5 | μA | ||
| Ngắt hiện tại | IEBO | V EB = -4V, I C = 0 | -0,1 | μA | ||
Thu nhập hiện tại của DC | hFE (1) | V CE = -10V, I C = -10mA | 80 | 300 | ||
| hFE (2) | V CE = -10V, I C = -1mA | 70 | ||||
| hFE (3) | V CE = -10V, I C = -100mA | 60 | ||||
| hFE (4) | V CE = -10V, I C = -50mA | 80 | ||||
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát | VCE (sat) (1) | Tôi C = -10mA, tôi B = -1mA | -0,2 | V | ||
| VCE (sat) (2) | Tôi C = -50mA, tôi B = -5mA | -0.3 | V | |||
| Điện áp bão hòa cơ sở-emitter | VBE (sat) | Tôi C = -10mA, tôi B = -1mA | -0,75 | V | ||
| Tần số chuyển đổi | f T | V CE = -20V, I C = -10mA, f = 30 MHz | 50 | MHz |
| CẤP | Một | B | C |
| PHẠM VI | 80-100 | 100-200 | 200-300 |
Kích thước phác thảo gói
| Ký hiệu | Kích thước tính bằng milimét | Kích thước tính bằng inch | ||
| Tối thiểu | Tối đa | Tối thiểu | Tối đa | |
| Một | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,011 | 0,020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0,185 |
| e | 1.270 TYP | 0,050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14.100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1.600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Người liên hệ: David
