|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| Nhiệt độ ngã ba: | 150oC | Kiểu: | Transitor Triode |
|---|---|---|---|
| ứng dụng: | cung cấp điện di động / điều khiển led / điều khiển động cơ | Vật chất: | Silic |
| Dòng thu: | 600 mA | Nhiệt độ lưu trữ: | -55 + 150 ℃ |
| Điểm nổi bật: | bóng bán dẫn chuyển đổi năng lượng,bóng bán dẫn mosfet điện |
||
SOT-23 Transitor bọc nhựa MMBTA44 TRANSISTOR (NPN)
Transitor chuyển mạch
SỐ LƯỢNG TỐI ĐA (Ta = 25 ℃ trừ khi có ghi chú khác)
| Ký hiệu | Tham số | Giá trị | Đơn vị |
| V CBO | Điện áp cơ sở thu | 60 | V |
| Giám đốc điều hành V | Điện áp thu-phát | 40 | V |
| V EBO | Emitter-Base điện áp | 6 | V |
| Tôi C | Dòng thu | 600 | mẹ |
| P C | Bộ sưu tập tản điện | 300 | mW |
| R ΘJA | Nhiệt điện từ ngã ba đến môi trường xung quanh | 417 | ℃ / W |
| T j | Nhiệt độ ngã ba | 150 | ℃ |
| T stg | Nhiệt độ lưu trữ | -55 + 150 | ℃ |
ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN (Ta = 25 ℃ trừ khi có quy định khác)
| Tham số | Ký hiệu | Điều kiện kiểm tra | Tối thiểu | Kiểu | Tối đa | Đơn vị |
| Điện áp đánh thủng cơ sở | V (BR) CBO | Tôi C = 100μA, tôi E = 0 | 60 | V | ||
| Điện áp sự cố collector-emitter | Giám đốc điều hành V (BR) | Tôi C = 1mA, tôi B = 0 | 40 | V | ||
| Điện áp sự cố Emitter-cơ sở | V (BR) EBO | Tôi E = 100μA, tôi C = 0 | 6 | V | ||
| Bộ sưu tập hiện tại | ICBO | V CB = 50V, I E = 0 | 0,1 | μA | ||
| Bộ sưu tập hiện tại | ICEX | VCE = 35V, VEB = 0,4V | 0,1 | μA | ||
| Ngắt hiện tại | IEBO | V EB = 5V, I C = 0 | 0,1 | μA | ||
Thu nhập hiện tại của DC | hFE1 | V CE = 1V, I C = 0,1mA | 20 | |||
| hFE2 | V CE = 1V, I C = 1mA | 40 | ||||
| hFE3 | V CE = 1V, I C = 10mA | 80 | ||||
| hFE4 | V CE = 1V, I C = 150mA | 100 | 300 | |||
| hFE5 | V CE = 2V, I C = 500mA | 40 | ||||
Điện áp bão hòa của bộ thu-phát | VCE (sat) | Tôi C = 150mA, tôi B = 15mA | 0,4 | V | ||
| Tôi C = 500mA, tôi B = 50mA | 0,75 | V | ||||
Điện áp bão hòa cơ sở-emitter | VBE (sat) | Tôi C = 150mA, tôi B = 15mA | 0,95 | V | ||
| Tôi C = 500mA, tôi B = 50mA | 1.2 | V | ||||
| Tần số chuyển đổi | f T | V CE = 10V, I C = 20mA, f = 100 MHz | 250 | MHz | ||
| Thời gian trì hoãn | t d | VCC = 30V, VBE (tắt) = - 2V IC = 150mA, IB1 = 15mA | 15 | ns | ||
| Thời gian tăng | t r | 20 | ns | |||
| Thời gian lưu trữ | t s | VCC = 30V, IC = 150mA IB1 = IB2 = 15mA | 225 | ns | ||
| Giảm thời gian | t f | 60 | ns |
Đo trong các điều kiện xung, Độ rộng xung = 300μs, Chu kỳ nhiệm vụ≤2%.
Đặc điểm tiêu biểu 
Kích thước phác thảo gói
| Ký hiệu | Kích thước tính bằng milimét | Kích thước tính bằng inch | ||
| Tối thiểu | Tối đa | Tối thiểu | Tối đa | |
| Một | 0,900 | 1.150 | 0,035 | 0,045 |
| A1 | 0,000 | 0.100 | 0,000 | 0,004 |
| A2 | 0,900 | 1.050 | 0,035 | 0,041 |
| b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| c | 0,080 | 0.150 | 0,003 | 0,006 |
| D | 2.800 | 3.000 | 0,10 | 0.118 |
| E | 1.200 | 1.400 | 0,047 | 0,055 |
| E1 | 2.250 | 2.550 | 0,089 | 0.100 |
| e | 0,950 TYP | 0,037 TYP | ||
| e1 | 1.800 | 2.000 | 0,071 | 0,079 |
| L | 0,550 REF | 0,022 REF | ||
| L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
| θ | 0 ° | 8 ° | 0 ° | 8 ° |
Người liên hệ: David
